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記憶容量:1 / 2 TB |
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ランダムアクセスで100,000IOPS以上 |
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2GB/秒のランダムサスティーン・スループット |
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4Uサイズ |
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冗長化された2台の内蔵バッテリ |
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ホットスワップ電源モジュール |
| 100,000 IOPSの処理能力、2GB/秒の転送速度 RamSan-500は16縲鰀64GBのDDR2キャッシュ領域とFlashメモリディスクが密接に統合されたハイブリッド型の半導体ディスク装置で、100,000 IOPSの処理能力とサスティーン(連続値)で2GB/秒の転送速度を提供します。 |
| ディスクドライブの回復処理による遅延が生じません ディスクドライブは、ライト時に回復不能なセクターエラーが発生すると、そのセクターを代替セクターにライトとします。RamSan-500は、高速な大容量DDR2メモリをキャッシュ領域として利用し、Flashメモリディスクにリード/ライトしますので、遅延の無い安定したアクセスが実現されます。 |
| ランダムで0.2msのレスポンスタイム RamSan-500はランダムで0.2msのレスポンスタイムでアクセスできますので、ノンリニア編集において、従来のディスクベースのRAID装置で見られたパフォーマンスでのストレスを解消します。 |
| ファイバーチャネル接続でSAN環境に簡単に追加 RamSan-500は4Gbpsのファイバーチャネルポートを、最大8ポートへの拡張が可能です。RamSan-500は、ファイバーチャネルのSANに接続するだけで、OSから通常のディスク・ドライブとして認識されますので、これまでのアプリケーションの変更することなく使用することができます。 |
| 信頼性の高い記憶装置 RamSan-500は、DDR2キャッシュ領域にはECCとChipkill邃「テクノロジーの組込によりメモリチップの故障からもデータを保護します。ホットスワップ可能なFlashメモリディスクはRAID3を構成していますので、1台が故障してもデータは完全に保護されます。RamSan-500の内部バッテリによりDDR2メモリのデータは保護されますので、停電時でも大切なデータを失うことはありません。 |
| 仕様 | RamSan-500 |
| 外部スループット | キャッシュ部 3GB/秒 フラッシュ部 2GB/秒 |
| メモリ容量 | キャッシュ部 16 / 32 / 64 GB フラッシュ部 1 / 2 TB (RAID5構成) |
| IO処理性能 | キャッシュ部 リード500,000IOPS ライト500,000IOPS フラッシュ部 リード100,000IOPS ライト25,000IOPS |
| ホストポート | FC-4Gbps:標準2 ポート~最大8ポート |
| 電源 | 2台(HotSwap可能) |
| バッテリ | 2個搭載(停電時などバッテリバックアップに使用) |
| 冷却ファン | 冗長性あり |
| 対応OS | Windows NT/2000/XP/2003 Solaris,AIX,HP-UX,Linux, IRIX,TRU64,OpenVMS,・・・etc |
| 適合分野 | データベース、データウェアハウス、ダイナミックWebコンテンツ、医療診断、検索エンジン、OLTP、電子メール、科学技術計算、解析シミュレーション、半導体設計、ノンリニア編集、ビデオ・オン・デマンド、HDビデオ再生、ストリーム・コンテンツ配信、番組・CMバンクシステム・・・etc |